Bild: En IVWorks-Ingenieur kalibréiert eng Plasmaquell fir den Asaz an engem Hybrid MBE-System a Produktiounsgréisst, wat eng héich Uniformitéit an héichqualitativt GaN-Epitaxialwuesstem ënnerstëtzt.
En Galliumnitrid (GaN)-Héichelektronemobilitéitstransistor (HEMT), deen déi proprietär reGaN-selektiv Neiwuessungstechnologie vun IVWorks Co Ltd zu Daejeon, Südkorea, integréiert, ass den éischte GaN-Transistor op der Welt ginn, deen eng maximal Schwéngungsfrequenz (f) erreecht huet.maximal) iwwer 700 GHz. Dëst gouf duerch en 45nm GaN HEMT-Apparat demonstréiert, dee vum Fuerschungsteam vum Professer Dae-hyun Kim an der School of Electronics Engineering vun der Kyungpook National University entwéckelt gouf a den 18. Juni um 2026 IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology & Circuits zu Honolulu, Hawaii, USA virgestallt gouf.
D'Fuerschungsteam huet en GaN-Transistor mat enger Gatelängt vu 45 nm hiergestallt an e Rekord f erreecht.maximalvun 742 GHz, wat en neie Benchmark fir d'HF-Leeschtung an der GaN-Transistortechnologie etabléiert. Den Apparat huet och eng Rekordduerchschnëttsfrequenzmetrik (favg) vu 497 GHz erreecht, deen héchste Wäert, deen bis elo fir all GaN-Transistortechnologie gemellt gouf. Dës Resultater weisen datt GaN-Halbleiter eng genuch Leeschtungskompetitivitéit hunn, och am Ultrahéichfrequenzberäich, a kënnen als eng valabel Plattform fir zukünfteg Subterahertz- an Terahertz-elektronesch Systemer déngen, seet IVWorks.
Wärend Transistoren op Basis vun Indiumphosphid (InP) laang de Subterahertz-Frequenzregime dominéieren wéinst hiren aussergewéinlechen Elektronentransporteigenschaften, limitéiert hir relativ niddreg Duerchbrochspannung d'Ausgangsleistung an d'Systemskaléierbarkeet. Am Géigesaz dozou bidden GaN eng eenzegaarteg Kombinatioun vun engem héijen Duerchbrochselektresche Feld, héijer Leeschtungsdicht an exzellenter thermescher Robustheet, wat se zu attraktive Kandidaten fir Héichfrequenz- an Héichleistungsapplikatioune vun der nächster Generatioun mécht. Wéi och ëmmer, d'Erreeche vun Ultrahéichfrequenz-Leeschtung mat GaN ass eng grouss Erausfuerderung bliwwen. Fir dës Aschränkungen ze iwwerwannen, huet d'Fuerschungsteam en fortgeschrattene 45nm Gate-Prozess an eng optimiséiert Apparatarchitektur benotzt fir d'Héichfrequenz-Leeschtung ze maximéieren.
E Schlësselfaktor war d'proprietär reGaN-Technologie fir selektivt Neiwuessen vun IVWorks. Exklusiv vun IVWorks entwéckelt, wiisst reGaN selektiv staark dotiert n-Typ GaN an de Quell- a Drainregiounen nei, wouduerch de Kontaktwidderstand däitlech reduzéiert gëtt. Als Co-Fuerschungspartner an dëser Studie huet IVWorks eng behauptbar exzellent Prozessuniformitéit iwwer de ganze 4-Zoll-Wafer demonstréiert an eng aussergewéinlech Reproduzéierbarkeet erreecht. Ausserdeem huet d'Firma d'Grenzflächenwidderstand fir d'Neiwuessen reduzéiert (Rint) op 0,027Ω-mm, wat der theoretescher Limit nobäit, déi bei der entspriechender Trägerkonzentratioun erreechbar ass.
„Dës Fuerschung dréckt d'RF-Leeschtungsgrenze vu GaN HEMTs op en neien Niveau a weist de Potenzial vu GaN-Hallefleeder fir ultrahéichfrequent Uwendungen duerch déi weltwäit éischt Demonstratioun vun engem GaN HEMT mat engem h iwwer 700 GHz“, seet de Professer Dae-hyun Kim. „D'Studie ass besonnesch bedeitend als e erfollegräicht Beispill vun der Zesummenaarbecht tëscht Industrie an der akademescher Welt, déi fortgeschratt epitaktesch Wuess- a Rewuesstechnologien aus der Industrie mat der Expertise vun der Universitéit an der Apparat- a Schaltungsfuerschung kombinéiert“, füügt hien derbäi.
„Op Basis vun dëser Leeschtung plangen mir, d'Entwécklung vun elektroneschen Apparater vun der nächster Generatioun vu GaN, déi op Terahertz-Frequenzapplikatioune fir 6G-Kommunikatioun an fortgeschratt Verteidegungstechnologien ausgeriicht sinn, weider ze beschleunegen.“
IVWorks seet, datt dës Leeschtung weider dat wuessend Potenzial vun der GaN-Technologie ënnersträicht, fir iwwer traditionell HF- an Leeschtungselektronik eraus an opkomend Subterahertz- an Terahertz-Applikatiounen auszebauen, dorënner 6G-Kommunikatioun, fortgeschratt Radarsystemer, Satellittekommunikatioun an d'Verteidegungselektronik vun der nächster Generatioun.
„reGaN ass eng Kärtechnologie, déi d'Qualitéitsqualifikatioun schonn an enger grousser Gießerei bestanen huet a fir d'Serieproduktioun adoptéiert gouf“, seet den CEO vun IVWorks, Young-kyun Noh. „Dës Leeschtung weist, datt eis Hybrid-MBE-baséiert reGaN-Plattform net nëmme produktiounsfäeg ass, mä och eng Schlësseltechnologie fir d'Subterahertz- an Terahertz-GaN-Elektronik vun der nächster Generatioun ass“, füügt hien derbäi. „Mir si stolz drop, datt d'IVWorks-Technologie zu engem weltféierende Fuerschungsmeilesteen bäidréit.“
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 06.07.2026