-
Branchennews: Infineon setzt neie Leeschtungsbenchmark fir KI-Beschleuniger a vertikal Leeschtungsliwwerung mat 2 A/mm² Duebelphas-Smart-Leeschtungsstufen
D'Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) stellt den TDA235E5 an den TDA235E0 vir, eng zweephaseg intelligent Leeschtungsstufefamill, déi entwéckelt gouf fir déi séier wuessend Leeschtungsdichtufuerderunge vun KI-Beschleuniger vun der nächster Generatioun a vertikale Stroumliwwerungsmoduler ze erfëllen. Integratioun...Liest méi -
Branchennews: Sumitomo Chemical fänkt d'Masseproduktioun vu 4-Zoll InP Epiwaferen un
Déi japanesch Firma Sumitomo Chemical Co Ltd huet d'Masseproduktioun vu 4-Zoll-Indiumphosphid (InP) epitaktischen Waferen an hiren Ibaraki-Wierker zu Hitachi, an der Präfektur Ibaraki, agefouert an huet ugefaangen, déi nei Produkter ze verkafen. D'Firma seet, datt...Liest méi -
Branchennews: Nexperia ënnersicht Zesummenaarbecht mat Aurobay fir elektrifizéiert Undriffsstrang a punkto Halbleitertechnologie
Den Designer a Produzent vun diskreten Apparater Nexperia BV aus Nijmegen, Holland (déi Waferfabriken zu Hamburg, Däitschland, an Hazel Grove Manchester, UK, bedreift) seet, datt et eng strategesch Zesummenaarbecht am Beräich vun fortgeschrattene Stroumversuergung wäert ënnersichen...Liest méi -
Branchennews: Expansioun vun der NXP Malaysia Testanlag fir duebel Kapazitéit bis 2028
Den 12. August 2026 (Lokalzäit) huet NXP Semiconductors, eng féierend global Firma am Automobil- a Industriehallefleederberäich, eng Grondsteegeleeung fir seng nei Verpackungs- a Testanlag zu Petaling Jaya a Malaysia ofgehalen. Als grouss Erweiderung vun senger existéierender Testanlag...Liest méi -
Branchennews: Mangel u Multilayer-Keramikkondensatoren féiert zu Präisanstieg
De Präis vu Multilayer-Keramikkondensatoren (MLCCs), déi dacks spaassend als de "Räis" vun der Informatiounstechnologie (IT) Ausrüstung bezeechent ginn, steigt an d'Luucht. Dëse Präisanstieg ass haaptsächlech wéinst engem laangjärege Versuergungsmangel u MLCCs, deen duerch den Investitiounsboom an der kënschtlecher Intelligenz verursaacht gëtt...Liest méi -
Benotzerdefinéiert 13,50 mm Hëtzeversiegelungsband verfügbar fir 16 mm Trägerband
Standard 16mm Trägerband gëtt normalerweis mat 13,3mm Standard Ofdeckband verglach. Trotzdem, ofhängeg vum Raum, deen während der Versiegelung fir hir Komponenten gebraucht gëtt, wielen e puer Clienten alternativ Ofdeckbandbreeten, entweder méi schmuel oder méi breet wéi 13,3mm. Rezent...Liest méi -
Sinho Benotzerdefinéiert Trägerbanddesign fir CAMBION Deeler – August 2026 Léisung
Datum: Aug. 2026 Léisungstyp: Benotzerdefinéiert Trägerband Clientland: USA Komponent Original Hiersteller: Designzäit: 1 Stonn Artikelnummer: 450-3704 LÖTUNGSSTECK, FIR .040 (1,02) DIAMETER...Liest méi -
Sinho Benotzerdefinéiert Trägerbanddesign fir TESLA Deeler – Juli 2026 Léisung
Datum: Juli 2026 Léisungstyp: Benotzerdefinéiert Trägerband Clientland: Mexiko Komponent Original Hiersteller: Designzäit: 2 Stonnen Artikelnummer: Tesla CUP, INS, RET, WSHR, PCBA 2049904-00-B Artikel...Liest méi -
Branchennews: PVA TePla a Fraunhofer IISB grënnen e gemeinsamt Laboratoire fir Aluminiumnitrid-Substrater.
De Fraunhofer IISB (Institut fir integréiert Systemer a Gerätertechnologie) mat Sëtz zu Erlangen an de PVA TePla AG, Hiersteller vu Mikrowellen- a Radiofrequenzplasmasystemer mat Sëtz zu Wettenberg, verbannen hir Expertise an engem gemeinsame Laboratoire fir d'Produktioun vun Aluminium...Liest méi -
Branchennews: Keysight a WIN schaffen zesummen fir den Designrisiko fir Héichfrequenz-HF-Komponenten ze reduzéieren
Keysight Technologies Inc vu Santa Rosa, CA, USA a WIN Semiconductors Corp vun Taoyuan City, Taiwan — déi reng Galliumarsenid (GaAs) a Galliumnitrid (GaN) Wafer-Gießerei-Servicer fir d'Funk-, Infrastruktur- a Netzwierkindustrie ubitt...Liest méi -
Branchennews: IVWorks'reGaN Technologie erméiglecht den éischten 742GHz GaN HEMT
Bild: En IVWorks-Ingenieur kalibréiert eng Plasmaquell fir den Asaz an engem Hybrid-MBE-System a Produktiounsgréisst, wat en héichuniformen an héichqualitativen GaN-epitaxialen Wuesstum ënnerstëtzt. En Galliumnitrid (GaN)-Transformator mat héijer Elektronemobilitéit...Liest méi -
Branchennews: SIA begréisst CHIPS Act Ureizer fir kohärent
WASHINGTON, 16. Juni 2026—D'Semiconductor Industry Association (SIA) huet haut déi folgend Erklärung vum SIA President a CEO John Neuffer verëffentlecht, an där hien d'Produktiounsincitamenter vum Handelsministère a Cohe...Liest méi
