Den 13. September 2024 huet Resonac de Bau vun engem neie Produktiounsgebai fir SiC (Siliziumkarbid)-Waferen fir Leeschtungshalbleiter an hirem Yamagata-Fabréck zu Higashine City, Yamagata Präfektur, ugekënnegt. D'Fäerdegstellung gëtt am drëtte Quartal 2025 erwaart.
Déi nei Anlag wäert am Yamagata-Fabréck vun hirer Duechtergesellschaft Resonac Hard Disk ënnerbruecht sinn a wäert eng Gebaifläch vu 5.832 Quadratmeter hunn. Si wäert SiC-Waferen (Substrater an Epitaxie) produzéieren. Am Juni 2023 krut Resonac d'Zertifizéierung vum Ministère fir Wirtschaft, Handel an Industrie als Deel vum Versuergungssécherungsplang fir wichteg Materialien, déi ënner dem Economic Security Promotion Act designéiert sinn, speziell fir Hallefleedermaterialien (SiC-Waferen). De Versuergungssécherungsplang, deen vum Ministère fir Wirtschaft, Handel an Industrie guttgeheescht gouf, erfuerdert eng Investitioun vun 30,9 Milliarden Yen fir d'SiC-Waferproduktiounskapazitéit op de Basen an der Stad Oyama, Präfektur Tochigi; der Stad Hikone, Präfektur Shiga; der Stad Higashine, Präfektur Yamagata; an der Stad Ichihara, Präfektur Chiba, mat Subventiounen vu bis zu 10,3 Milliarden Yen ze stäerken.
De Plang ass, am Abrëll 2027 mat der Liwwerung vu SiC-Waferen (Substrater) un d'Stad Oyama, Hikone an Higashine City unzefänken, mat enger jäerlecher Produktiounskapazitéit vun 117.000 Stéck (entsprécht 6 Zoll). D'Liwwerung vu SiC-epitaxialwaferen un d'Stad Ichihara an Higashine City soll am Mee 2027 ufänken, mat enger erwaarter jäerlecher Kapazitéit vun 288.000 Stéck (onverännert).
Den 12. September 2024 huet d'Firma eng Grondsteegeleeungszeremonie um geplangte Chantier vun der Yamagata-Fabréck ofgehalen.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 16. September 2024